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　　三星深耕AI科技与创新的同时，更积极履行社会责任。通过SFT科普创新大赛等教育项目，助力中国青少年科技人才的培养，同时在绿色、科技、乡村等多领域也在努力回馈中国社会。
st品牌　　在工厂、体育场馆和矿井等各种场所，新兴专用网络数量持续增长。2.4版TimeProvider 4100系列配备了时间敏感网络 （TSN） 配置文件 802.1.AS，可以同步这些专用网络。该功能为专用网络提供了一个更加准确、自主的时间系统，用于协调专用网络物联网 （IoT） 设备。
嵌入式SIM（eSIM），也称为eUICC，是一种便捷的远程配置解决方案，使设备能够无线更换电信运营商，为移动设备提供的全天候全球连接增加了灵活性和安全性。

Nexperia发现这也是造成目前市场上许多SiC器件的性能受限的因素之一，新推出的SiC MOSFET采用了创新型工艺技术特性，实现了业界领先的RDSon温度稳定性，在25℃至175℃的工作温度范围内，RDSon的标称值仅增加38%。
　　Ear 配备了 Nothing 有效、智能的降噪功能。全新 Smart ANC 算法会检查耳塞和耳道之间的噪音泄漏水平，并相应调整降噪效果。 Ear 的 Adaptive ANC 功能还会自适应背景干扰，自动应用高、中、低三种降噪级别中的一个。在 45 dB 的环境中，Ear 呈现的降噪效果几乎是 Ear (2) 的两倍。高达 5000 Hz 的频宽让 Ear 可有效检测和降低强干扰性声音的影响。
st品牌　　可以通过 SPI 端口设置栅极驱动电流，控制压摆率，限度地减少电磁辐射和耗散功率。在设置传统驱动器的压摆率时，通常会用到外部元器件，而新驱动器的电流设置功能可以让每个 MOSFET节省多达四个外部分立元器件。170mA 的驱动电流使设计人员能够灵活地使用驱动器配合各种外部 MOSFET开关管，包括具有大栅极电容的高功率器件。
目前，英飞凌正在通过采用 Thin-TOLL 8×8 和 TOLT 封装的两个全新产品系列，扩展其 CoolSiC MOSFET分立式半导体器件 650 V产品组合。这两个产品系列基于CoolSiC 第2代（G2）技术，在性能、可靠性和易用性方面均有显著提升，专门用于中开关模式电源（SMPS），如AI服务器、可再生能源、电动汽车充电器、大型家用电器等。
　　为满足客户对更大更快的 SRAM 的普遍需求，Microchip Technology（微芯科技公司）扩展了旗下串行SRAM产品线，容量可达4 Mb，并将串行外设接口/串行四通道输入/输出接口（SPI/SQI）的速度提高到143 MHz。新产品线包括提供2 Mb和4 Mb两种不同容量的器件，旨在为传统的并行SRAM产品提供成本更低的替代方案，并在SRAM存储器中包含可选的电池备份切换电路，以便在断电时保留数据。

UltraScale+系列较上一代产品，将逻辑单元提升至21.8万个、I/O逻辑单元比降至2、总片内存提升至26.79MB，制程从28nm演进为16nm。以上指标的改善，使该产品在连接性和能效上有所提升。由于降低了30%的总功耗、60%的接口连接功耗，并缩小了封装尺寸，该产品具备更好的成本优势。
st品牌　　Xencelabs马蒂斯数位屏16仅需一条USB-C对USB-C接口电缆，就可连接到任何兼容的PC、Mac或Linux笔记本设备。套装版附带一个10位色深的拓展坞（hub），用于连接需要通过HDMI或Display Port连接的设备。此外，套装版配置轻巧便携的移动支架能为用户提供两种可调节创作角度。
　　新集成AI功能加速了深度学习处理速度。这类工作可以通过优化的英特尔AVX2和英特尔VNNI指令集实现。由于CPU和集显 (Intel Gen12 UHD GPU）都支持INT8深度学习计算，与前几代相比，图形处理速度明显加快，物体识别速度提升6倍。用户将从AI功能加速中受益，当与结合虚拟化相结合时，可以显著提高应用程序的效率和生产率。
　　无论是隔离还是非隔离型产品，静态工作电流均是 25μA，省电关断模式电流都低于 2μA。输入电压范围3.5V 至 38V，负载突降容限高达 40V，可防止主电源总线上的瞬变中断系统。新产品还有输出过压保护、过热保护和内部软启动功能。此外，可选的扩频操作模式有助于为噪声敏感型应用降低电磁干扰 (EMI)，并且电源正常引脚可实现电源排序功能。A6983I 和 A6983 支持芯片与外部时钟同步。