winbond芯片
而向量处理器AndesCore NX27V具备512KB的数据缓存，能支持完整的RISC-V标准数据类型以及晶心为AI应用优化的延伸数据类型。NX27V包含高效能的纯量单元及一个乱序向量处理单元（VPU），其向量长度（VLEN）及数据信道宽度（DLEN）皆为 512 位，每个周期多能产生四个 512 位的运算结果。
winbond芯片 据该公司称，其第八代产品“这些设备结合了 600V CoolMOS 7 系列的功能，是 P7、PFD7、C7、CFD7、G7 和 S7 产品系列的继任者”。“它们配备了一个集成的快速体二极管，并采用 SMD QDPAK、TOLL 和 ThinTOLL 8 x 8 封装。”
“美光 9550 SSD 标志着数据中心存储的重要飞跃，它提供了惊人的 330 万 IOPS，同时在 GNN 和 LLM 训练等 AI 工作负载中，比同类 SSD 功耗降低了高达 43%。这款产品将更高的性能与出色的能效相结合，为 AI 存储解决方案树立了新标杆，彰显了美光在引领 AI 革命方面的坚定承诺。”
高速率：SPE连接器在40米范围内可实现1Gbps的传输速率。在1000米范围内可提供10Mbps的传输速率，满足新一代的高速数据传输需求。
高可靠性：SPE连接器使用单对双绞线双层屏蔽电缆进行通信，可有效减少信号干扰和传输损耗，提高了通信的可靠性。
适应性强：SPE连接器的卡扣结构让产品在强振动冲击的应用场景下依旧能保持可靠互连，广泛适用于汽车、工业自动化、医疗、建筑楼宇等领域。
值得一提的是，CSA521x型号通过REF引脚支持双向电流检测，当增益设置为20倍时，能够实现高达350kHz的带宽和0.8V/us的压摆率。在精度上，CSA52x系列展现出卓越的性能，其偏移电压典型值为±15uV，温漂仅为0.05uV/℃，而增益误差在全温度范围内增益误差为0.2%，温漂典型值则为3ppm/℃至10ppm/℃。
winbond芯片Richardson RFPD 库存有 0402（1005 公制）玻璃夹层电阻器，设计工作频率范围为直流至 40GHz。
Richardson Kyocera AVX UBR 微波电阻器
它们由京瓷 AVX 制造，称为 UBR 系列，尺寸为 1 x 0.5 x 0.5 毫米，具有灵活的端接。
“‘Flexiterm’ 是一种表面贴装、符合汽车标准的终端，可增加额外的保护余量，防止安装过程中因弯曲而造成损坏，”Richardson 表示。“使用玻璃夹层技术和精密激光微调可将寄生噪声降低至 40GHz。”
以 9.4mΩ 导通电阻的 UHB100SC12E1BC3N 为代表的这四款 SiC 模块均采用 Qorvo 独特的共源共栅配置，限度地降低了导通电阻和开关损耗，从而能够极大地提升效率，这一优势在软开关应用中尤为显著。另外，银烧结芯片贴装将热阻降至 0.23°C/W；与带“SC”的产品型号中的叠层芯片结构相结合，其功率循环性能比市场同类 SiC 电源模块高出 2 倍。得益于以上特性，这些高度集成的 SiC 电源模块不仅易于使用，而且具有卓越的热性能、高功率密度和高可靠性。
此传感器专为汽车和工业应用场景而设计，可在 -40℃ 至 160℃ 的环境温度范围内工作，具体取决于电源电压范围。此传感器十分紧凑且用途广泛，并提供十六针 SSOP16 SMD 包装。
CMS M多级迷你真空发生器是COVAL研究的成果，旨在为在恶劣工业环境中处理多孔零件、排空罐体或随机抓取等应用提供强大而耐用的解决方案。由于其超紧凑的设计和优化的多级Venturi系统，这些发生器可保证高达550 Nl/min的强力吸气流量，同时在紧凑的空间内减少压缩空气消耗。
winbond芯片CoolSiC G2 MOSFET 650V和1200V在不影响质量和可靠性的前提下，将MOSFET的关键性能（例如存储能量和电荷）提高了20%，不仅提升了整体能效，还进一步推动了低碳化进程。
在芯片层面，Copilot+ PC整合了CPU、GPU 以及高性能NPU（神经处理单元) 的功能，并将芯片平台与运行在Azure云平台的大型语言模型 (LLM) 和小型语言模型 (SLM) 相连接，从而增强了整机的处理能力。在运行人工智能工作负载方面，Copilot+ PC的性能提高了20倍，效率提高了100倍，并提供了业界领先的人工智能加速功能。其持续多线程性能比苹果15英寸MacBook Air高出58%，并提供全天电池续航时间。
STGAP2SICS系列针对SiC MOSFET 的安全控制进行了专门优化，并可在高达1200V的高压下工作，使其成为节能型电源系统、驱动器和控制装置的选择。从工业电动汽车充电系统到太阳能、感应加热和汽车 OBC DC-DC，STGAP2SICS系列可简化设计、节省空间并增强稳健性和可靠性。