adi半导体

　　ST还宣布了其VD5 5H1 ToF传感器的消息，包括开始批量生产以及与Lanxin Technology（一家专注于移动机器人深度视觉系统的中国公司）的早期设计合作。子公司 MRDVS 选择 V??D55H1 为其 3D 相机添加高精度深度传感功能。
adi半导体　　TS-3032-C7的设计重点在于其超低功耗特性，平均电流仅为160纳安，在1Hz的温度监控和时间保持模式下运行，使得单个CR2032电池能够支持的运行时间远超过10年。这一点对于需要长期运行且难以更换电源的应用尤为重要。
　　随着包括汽车业在内的主要充电器制造商致力于实施Qi v2.0（Qi2）标准，Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）发布了一款 Qi 2.0双板无线电源发射器参考设计。该Qi2参考设计采用单个dsPIC33数字信号控制器（DSC），可提供高效控制以优化性能。无线充电联盟（WPC）近发布了新版Qi2标准，其主要特点是引入了磁功率协议（MPP），支持发射器和接收器之间磁吸对准。DSC软件架构灵活，可通过一个控制器支持Qi 2.0的MPP和扩展功率协议（EPP）两种配置。

随着联网器件数量的快速增长以及安全标准和法规的收紧，物联网设计人员正在寻求更有效的方法，方便客户在收到产品后管理器件。我们与Kudelski的合作，将keySTREAM添加到我们的ECC608 TrustMANAGER中，使客户能够通过基于云的安全SaaS有效地管理、扩展和更新物联网生态系统，从而实现现场配置和证书管理。
因此，迄今为止，通常使用分立元件在干扰天线上形成被称为储能电路*4的滤波器功能来抑制天线间的干扰。然而，该方法存在一个问题：由于受到储能电路的插入损耗*5影响，虽然受到干扰的天线的特性得到了改善，但插入储能电路一侧的天线特性会劣化。
adi半导体日前发布的MOSFET有效输出电容Co(er) 和Co(tr)典型值分别仅为79 pF和499 pF，有助于改善硬开关拓扑结构开关性能，如PFC、半桥和双开关顺向设计。封装还提供开尔文（Kelvin）连接，以提高开关效率。
　　在应用模式下，HAL/HAR 3936 在测量磁铁的 360°角度范围、线性运动和抗杂散场 3D 位置信息方面表现出色。杂散场 稳健型 3D 模式，加上读取外部信号的潜能，让转向柱开关检测获得前所未有的稳健性。利用霍尔技术，该传感器可有效抑制外部杂散磁场，确保在任何情况下都能进行准确测量。
　　SRK1004的检测输入能够承受高达190V 的电压，可以连接高低边功率开关管。共有四款产品供用户选择，仅器件选型就可以让用户优化应用设计，通过选择5.5V或 9V的栅极驱动电压，可以在设计选用理想的逻辑电平 MOSFET、标准 MOSFET 或 GaN 晶体管，避免复杂的计算过程。 SRK1004 适用于非互补性有源钳位、谐振和准谐振 (QR) 反激式拓扑，引入了能够简化开关操作并节省电能的新一代关断算法。

REC10K、REC20K 和 REC30K 系列的功率分别为 10 W、20 W 和 30 W，具有 4:1（9-36 VDC 或 18-75 VDC）输入电压范围，提供多种稳压输出电压选项：3.3 V、5 V、9 V、12 V、15 V、24 V、+/-5 V、+/-12 V、+/-15 V 和 +/-24 V（仅限 REC10K）。此外，REC30K 还具有 2:1 (36-75 VDC) 输入电压范围，而且效率更高。单路输出可在 +/-10% 范围内微调，并提供开/关控制功能。
adi半导体　　RS2130芯片采用5*5*1.2mm QFN封装形式，基于莱斯能特自主研发的创新型架构，ASIC及MEMS均采用车规工艺，量程为±2g至±16g，多档可选，XY轴噪声小于30 ug/sqrt(hz)，特别是在大带宽时噪声表现优异，48KHz ODR不开滤波器情况下总的输出RMS噪声小于5mg。在4kHz时延时小于100 us，芯片可直接对接A2B收发器，支持多种TDM模式，可配置性强，14位ADC输出。
　　钛酸钡热敏电阻由瓷片组成，两端焊接镀锡CCS引线，涂有符合UL 94 V-0标准的耐高温硅树脂涂料。器件符合RoHS标准，经过C-UL-US，文件编号E148885，适于 AC和DC使用，提高并控制安全水平。PTCEL13R和PTCEL17R具有SPICE和3D两种型号。
所有半导体器件均采用英飞凌的自主芯片连接技术，在同等裸片尺寸的情况下赋予芯片出色的热阻。高度可靠的栅极氧化层设计加上英飞凌的标准保证了长期稳定的性能。